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드라이 세정 등. 또한 열처리, 이온도핑법 등.6. 기판공정(FEOL)- 에피택시얼층 형성 ⇒ 아이솔레이션(트렌치.2.★ 기본 프로세스 기술의 설명1. 이공정은 여전히 약액을 사용하는 웨트처리가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4,,도포막(SOG), 각종 어닐처리 등. 박막 형성공정 ⇒ 에피택시얼성장,HF, 큐어, 표면 청정화를위한 공정이다.p웰) ⇒ 게이트산화막 ⇒게이트전극형성 ⇒ 스페이서형성 ⇒ 커패시터 구조형성(DRAM) ⇒ 소스드레인형성 ⇒배선 전 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒ 콘택트 홀 형성 ⇒ 콘택트 플러그형성위의 공정이 끝난 후2... 불순물도입공정 ⇒ 이온 주입법, 현상,산화 등의 공정전에 행하여지는 것으로 후처리,H2O2 등의 약액 조합에의해 처리된다…(생략) [자연과학] 나노 바이오멤스 - Lithography 공정.자연과학 업로드 나노 바이오멤스 - Lithography 공정 Down [자연과학] 나노 바이오멤스 - Lithography 공정..노광기술 자외선,메탈층, 전자빔,전처리라 불리기도한다.hwp 자료문서 ( ......

 

 

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Title

Lithography 공정

 

 

 

 

 

 

[ Photolithography 공정 기술 ]

photolithography에 대해서 알아보기 전에 먼저 전공정과 후공정에 대해서 알아보겠습니다.

전공정은 웨이퍼위에 회로를 만드는 과정이라고 할 수 있고, 후공정은 기판위에 만들어진 회로들을 하나하나씩 자르고 외부와 접속할 선을 연결하고 패키지하는 과정입니다. 자세한 내용은 다음과 같습니다.[대분류]회로설계 ⇒ 패턴설계 ⇒ 마스크제작 ⇒ 웨이퍼 프로세스(전공정),기판공정(FEOL) ⇒Si다결정제조 ⇒ Si단결정제조 ⇒ 경면 Si웨이퍼제조 ↗⇒ 배선공정(BEOL) ⇒ 조립공정(후공정) ⇒ 검사공정(후공정) ⇒ 신뢰성검사공정(후공정) ⇒ 제품출하[소분류] - 전공정 웨이퍼 프로세스1. 기판공정(FEOL)- 에피택시얼층 형성 ⇒ 아이솔레이션(트렌치.LOCOS) ⇒ 웰 형성(n웰.p웰) ⇒ 게이트산화막 ⇒게이트전극형성 ⇒ 스페이서형성 ⇒ 커패시터 구조형성(DRAM) ⇒ 소스드레인형성 ⇒배선 전 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒ 콘택트 홀 형성 ⇒ 콘택트 플러그형성위의 공정이 끝난 후2. 배선공정(BEOL)- 콘택트 형성 ⇒ 배선패턴 형성(베리어층,메탈층,방사방지막) ⇒ 층간 절연막형성 ⇒ 평탄화공정 ⇒비어 홀 형성 ⇒ 비어 플러그 형성 ⇒ 배선패턴 형성(베리어층,메탈층,방사방지막) ⇒[반복공정] ⇒ 패시베이션[기본 프로세스 기술의 분류]- 대분류 - - 중[소]분류 -1. 세정공정 ⇒ 웨트세정, 드라이 세정 등...2. 열처리공정 ⇒ RTP(래피드 서멀)산화, 노(퍼니스)산화, 각종 어닐처리 등...3. 불순물도입공정 ⇒ 이온 주입법, 열확산법, 이온도핑법 등...4. 박막 형성공정 ⇒ 에피택시얼성장,CVD(화학적 기상성장),PVD(물리적 기상성장),도포막(SOG),도금법.5. 리소그래피공정 ⇒ 레지스트 처리 레지스트도포, 베이크, 현상, 큐어, 레지스트제거.패턴 에칭 드라이에칭, 웨트에칭.노광기술 자외선, 전자빔, X선 등...6. 평탄화 공정 ⇒ CMP(화학적 기계연마), 에치백 등...★ 기본 프로세스 기술의 설명1. 세정기술 (Cleaning)- 세정은 리소그래피를 처음으로 하는 각 공정 사이에서 반드시 행해야 하는 것으로, 표면 청정화를위한 공정이다. 또한 열처리,산화 등의 공정전에 행하여지는 것으로 후처리,전처리라 불리기도한다. 이공정은 여전히 약액을 사용하는 웨트처리가 중심으로 ,RCA 세정의 경우는 H2SO4,HCI,NH4OH,HF,H2O2 등의 약액 조합에의해 처리된다…(생략)

 

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