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식을 통해서 각각의 파라미터들을 구할 수 있고 그 결과는 다음과 같다.007075 1.259 0.212 VDS = 4V 0. - NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 λ와 rc 를 계산한다.232 0.0V 라는 값이 도출되었다.158 0.hwp 자료 (파일첨부).185 0.0 4. 실험 결과 A. MOSFET의 특성 1.245 0.212 VDS = 4V 0.158 0.8 3. 실험 목적 - NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다. 2.185 0.4 4.4 2.2 3.hwp [자연과학] [실험보고서]  MOSFET의 특성..226 0..192 전체 K 값의 평균 : 0.226 0. 실험 목적 - NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.167 0.137 0.. - NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 λ와 rc 를 계산한다.168 0.4 4.8 5 평균 VDS = 10V K 0.131222 VGS = 7V 0.01293 1.190 0.0V 라는 값이 도출되었다.hwp. VGS = 5V 0.0 4.2 . ,05 0.248 0.190 0. VGS 2. 이로부터 K 갑을 계산해본 결과는 다음과 같다.6 4.202 B. 실험 결과 A.245 0.039501 [자연과학] [실험보고서]  MOSFET의  ......

 

 

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자연과학 자료등록 실험보고서 자료등록 MOSFET의 특성 Report

 

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[목차]

 

MOSFET의 특성

1. 실험 목적

- NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.

- NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 λ와 rc 를 계산한다.

2. 실험 결과

A. 소자 문턱 전압의 측정

이 실험에서 소자의 문턱 전압을 측정해야 하는데 그래프를 보면 VTH = 2.0V 라는 값이 도출되었다. 이로부터 K 갑을 계산해본 결과는 다음과 같다.

VGS

2.4

2.8

3.2

3.6

4.0

4.4

4.8

5

평균

VDS = 10V

K

0.245

0.158

0.168

0.185

0.207

0.226

0.248

0.259

0.212

VDS = 4V

0.205

0.137

0.149

0.167

0.190

0.209

0.232

0.24...

 

 

 

MOSFET의 특성

 

 

 

1. 실험 목적

- NMOS 소자의 Vt 를 측정하고 측정된 값들을 통해 K를 계산한다.

- NMOS 소자의 특성곡선을 측정하고 이를 통해 λ와 rc 를 계산한다.

 

2. 실험 결과

A. 소자 문턱 전압의 측정

 

 

 

이 실험에서 소자의 문턱 전압을 측정해야 하는데 그래프를 보면 VTH = 2.0V 라는 값이 도출되었다. 이로부터 K 갑을 계산해본 결과는 다음과 같다.

 

VGS

2.4

2.8

3.2

3.6

4.0

4.4

4.8

5

평균

VDS = 10V

K

0.245

0.158

0.168

0.185

0.207

0.226

0.248

0.259

0.212

VDS = 4V

0.205

0.137

0.149

0.167

0.190

0.209

0.232

0.243

0.192

 

 

전체 K 값의 평균 : 0.202

B. NMOS의 I-V 특성 곡선

- VGS = 5V

 

 

- VGS = 7V

 

위의 결과와 ,

식을 통해서 각각의 파라미터들을

구할 수 있고 그 결과는 다음과 같다.

 

 

 

 

 

 

VGS = 5V

0.01293

1.131222

VGS = 7V

0.007075

1.039501

 

 

 

[자연과학] [실험보고서]  MOSFET의 특성.hwp [자연과학] [실험보고서]  MOSFET의 특성.hwp

 

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