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Intro ......

 

가전자를 공유하는 원자의 결합을 공유결합이라 한다. 이와 같은 반도체를 불순물 반도체라고 한다.. 2) N형 반도체 Si이나 Ge 결정내에 불순물로서 5개의 가전자를 갖는 5가인 안티몬(Sb), 인(P) 등을 첨가시킨다. 그러면 전자 또는 전자밀도에 변화가 생겨 도전율이 현저하게 증가한다. 검토 및 토의원자구조를 살펴보면 Si의 원자번호는 14번으로 Si원자는 핵속에 14의 양자를 갖고 외부 궤도에 14의 전자를 갖고 있기 때문에 중성을 유지하며 전자들은 K, 4개씩 분배되어 있다..일반 및 발광 다이오드의 특성실험 Down 일반 및 발광 다이오드의 특성실험. 이러한 원자들은 대개 4개의 전자를 잃어버리거나 얻으려 하지 않고, 4개의 외각 전자는 공유결합을 이루게 되고, 비소(As),ip 일반 및 발광 다이오드의 특성실험 다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스에 의한 일반 다이오드의 전류특성을 측정하여 전압-전류 특성 그래프를 그리고, 상온 정도의 낮은 열 에너지로도 원자의 구속을 벗어나 결정내를 자유롭게 돌아다니므로  ......

 

 

Index & Contents

일반 및 발광 다이오드의 특성실험 Down

 

일반 및 발광 다이오드의 특성실험.hwp 자료문서.zip

 

 

일반 및 발광 다이오드의 특성실험

 

다이오드의 순방향 및 역방향 바이어스에 의한 일반 다이오드의 전류특성을 측정하여 전압-전류 특성 그래프를 그리고, 광전자 소자의 동작 원리 및 특성 측정법을 이해하는 실험 리포트입니다.

 

1. 목 적

 

2. 원리요약

(1) 다이오드

　1) 진성 반도체

　2) N형 반도체

　3) P 반도체

　4) 구조 및 기호

　5) 동작원리

　6) 정류작용

　7) 특성곡선

 

3. 실험구상

(1) 일반 다이오드

(2) 광전자 소자 (LED)

 

1. 실험결과

2. 검토 및 토의원자구조를 살펴보면 Si의 원자번호는 14번으로 Si원자는 핵속에 14의 양자를 갖고 외부 궤도에 14의 전자를 갖고 있기 때문에 중성을 유지하며 전자들은 K, L, M각에 2개, 8개, 4개씩 분배되어 있다. 이러한 원자들은 대개 4개의 전자를 잃어버리거나 얻으려 하지 않고, 비슷한 원자와 서로 공유한다. 그 결과 8개의 전자를 갖는 안정한 구조를 갖게 되며, 가전자를 공유하는 원자의 결합을 공유결합이라 한다. Si이나 Ge에서 기대했던 전도특성을 얻기 위해서는 순수한 반도체에 불순물을 첨가해야 한다. 그러면 전자 또는 전자밀도에 변화가 생겨 도전율이 현저하게 증가한다. 이와 같은 반도체를 불순물 반도체라고 한다. 이때 가한 불순물에 따라 N형, P형 반도체로 된다.

 

2) N형 반도체

 

Si이나 Ge 결정내에 불순물로서 5개의 가전자를 갖는 5가인 안티몬(Sb), 비소(As), 인(P) 등을 첨가시킨다. 이와 같은 불순물을 반도체에 첨가하는 것을 도핑이라 한다. 즉 106 ～ 1010개의 반도체 원자속에 단지 한 개의 불순물 원자를 도핑 시키면 불순물 원자는 전기전도에 큰 영향을 미치게 된다. 예를 들면 108개의 반도체 원자속에 1개의 불순물 원자를 삽입하는 경우 전도도가 10배 이상 증가된다. 비소(As)와 같은 5개의 가전자를 갖는 원자를 실리콘 원자에 첨가시키면, 4개의 외각 전자는 공유결합을 이루게 되고, 한 개의 전자는 결합을 하지 못한 채로 자유롭게 놓이게 된다. 이 전자는 과잉전자라 하며, 상온 정도의 낮은 열 에너지로도 원자의 구속을 벗어나 결정내를 자유롭게 돌아다니므로 전류를 흘리는 작용을 한다.

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