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Intro ......

 

X와 의 오른쪽 노드를 D로 설정한다. 이는 회로가 평형 상태에 도달했다고 할 수 있다. (단, 검류계의 내부 저항으로 인한 오차 없이 미지의 저항 X를 구할 수 있다(일반적으로 모든 계측기는 내부 저항을 갖고 있어 정확한 저항값을 측정하기 어렵다) 3. 실험 이론 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로이다. 실험목적 휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 각 메쉬에는 KVL을 적용할 수 있다. 그림 1 에서 과 의 왼쪽 노드를 C, 휘트스톤 브리지에 의한 저 항 측정 방법을 실험한다. 그림 1 휘트스톤 브리지 -미지의 저항값 X의 계산 1) 의 값을 적절히 조절하여 A, 휘트스톤 브리지는 회로가 평형상태일 때 계측기인 검류계에 전류가 흐르지 않으므로,df 자료문서 (다운받기). 휘트스톤 브리지 1.. 2) 이므로, , 이다. 그 림 1의 회로에서 KVL과 KCL을 적용해보면 다음과 같다.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은  ......

 

 

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기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down

 

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실험 6. 휘트스톤 브리지

1. 실험목적 휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저 항 측정 방법을 실험한다. 2. 실험 이론 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로이다. 그림 1과 같은 회로에서 만약 A점과 B점 사이에 전위차가 없으면( ) 전류의 흐름을 감지할 수 있는 검류계(Galvanometer) ⓖ에는 전류가 흐르지 않는다. 이는 회로가 평형 상태에 도달했다고 할 수 있다. 이러한 평형상태를 이용하여 , , 의 값으로부터 미지의 저항값 X를 계산할 수 있다.

 

그림 1 휘트스톤 브리지 -미지의 저항값 X의 계산 1) 의 값을 적절히 조절하여 A, B점의 전위차가 ‘0’이 되었다고 가정하면, 이다. 그림 1 에서 과 의 왼쪽 노드를 C, X와 의 오른쪽 노드를 D로 설정한다. 2) 이므로, , 이다. 3) 2)의 식을 옴의 법칙( )을 이용하여 전류와 저항 관계에 대해 나타내면 다음과 같다. (단, X 와 에 흐르는 전류는 각각 , 이다.

 

,

4) 3)의 식을 정리하면 이고, 저항들의 관계식을 나타내면 다음과 같다.

 

 

 

5) 위 식을 X에 대해 정리하면 다음 식 1과 같다.

 

-식 1

이러한 휘트스톤 브리지는 평형상태 또는 불 평형상태에서 모두 동작한다. 또한, 휘트스톤 브리지의 평 형상태 여부와 관계없이 키르히호프 전압 법칙(KVL) 및 키르히호프 전류 법칙(KCL)은 휘트스톤 브리 지 회로에 성립한다. 즉, 각 노드에는 KCL을 적용할 수 있고, 각 메쉬에는 KVL을 적용할 수 있다. 그 림 1의 회로에서 KVL과 KCL을 적용해보면 다음과 같다. -노드 C에서의 키르히호프 전류 법칙( 전압원으로부터 흐르는 전류를 으로 설정한다)

 

 

-노드 C-B-D를 연결한 메쉬에서의 키르히호프 전압 법칙

 

또한, 휘트스톤 브리지는 회로가 평형상태일 때 계측기인 검류계에 전류가 흐르지 않으므로, 검류계의 내부 저항으로 인한 오차 없이 미지의 저항 X를 구할 수 있다(일반적으로 모든 계측기는 내부 저항을 갖고 있어 정확한 저항값을 측정하기 어렵다) 3. 실험 장비 (1) 검류계 (2) 디지털 멀티미터 (3) 직류 전원 공급 장치(± ) (4) 저항(5kΩ , 10kΩ 3개, 30kΩ ) (5) 가변저항(10kΩ ) 4. 실험 방법 (1) 그림 2와…(생략)

 

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X와 의 오른쪽 노드를 D로 설정한다. 이는 회로가 평형 상태에 도달했다고 할 수 있다. (단. 각 메쉬에는 KVL을 적용할 수 있다. 그림 1 에서 과 의 왼쪽 노드를 C. 검류계의 내부 저항으로 인한 오차 없이 미지의 저항 X를 구할 수 있다(일반적으로 모든 계측기는 내부 저항을 갖고 있어 정확한 저항값을 측정하기 어렵다) 3. 실험 이론 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로이다. 실험목적 휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고. 휘트스톤 브리지에 의한 저 항 측정 방법을 실험한다. 그림 1 휘트스톤 브리지 -미지의 저항값 X의 계산 1) 의 값을 적절히 조절하여 A. 휘트스톤 브리지는 회로가 평형상태일 때 계측기인 검류계에 전류가 흐르지 않으므로. 이다. 그 림 1의 회로에서 KVL과 KCL을 적용해보면 다음과 같다.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은  ....... ..df 자료문서 (다운받기). 휘트스톤 브리지 1.. 2) 이므로. 

 

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df. 실험 방법 (1) 그림 2와…(생략) [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 2) 이므로, , 이다. 휘트스톤 브리지 1. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 3) 2)의 식을 옴의 법칙( )을 이용하여 전류와 저항 관계에 대해 나타내면 다음과 같다. 즉, 각 노드에는 KCL을 적용할 수 있고, 각 메쉬에는 KVL을 적용할 수 있다. 그림 1과 같은 회로에서 만약 A점과 B점 사이에 전위차가 없으면( ) 전류의 흐름을 감지할 수 있는 검류계(Galvanometer) ⓖ에는 전류가 흐르지 않는다. 5) 위 식을 X에 대해 정리하면 다음 식 1과 같다. 2.pdf 자료문서 (다운받기). 또한, 휘트스톤 브리지의 평 형상태 여부와 관계없이 키르히호프 전압 법칙(KVL) 및 키르히호프 전류 법칙(KCL)은 휘트스톤 브리 지 회로에 성립한다. -식 1 이러한 휘트스톤 브리지는 평형상태 또는 불 평형상태에서 모두 동작한다.기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험. 그림 1 휘트스톤 브리지 -미지의 저항값 X의 계산 1) 의 값을 적절히 조절하여 A, B점의 전위차가 ‘0’이 되었다고 가정하면, 이다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 즉, 각 노드에는 KCL을 적용할 수 있고, 각 메쉬에는 KVL을 적용할 수 있다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . , 4) 3)의 식을 정리하면 이고, 저항들의 관계식을 나타내면 다음과 같다.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실 5) 위 식을 X에 대해 정리하면 다음 식 1과 같다. 2.zip 실험 6.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실. 실험 이론 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로이다. 실험 이론 휘트스톤 브리지(Wheatstone bridge)는 회로의 평형상태를 이용하여 정밀한 저항 측정을 위한 계측 방법에 이용되는 회로이다. 그 림 1의 회로에서 KVL과 KCL을 적용해보면 다음과 같다. 실험목적 휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저 항 측정 방법을 실험한다. 실험 장비 (1) 검류계 (2) 디지털 멀티미터 (3) 직류 전원 공급 장치(± ) (4) 저항(5kΩ , 10kΩ 3개, 30kΩ ) (5) 가변저항(10kΩ ) 4.. 또한, 휘트스톤 브리지의 평 형상태 여부와 관계없이 키르히호프 전압 법칙(KVL) 및 키르히호프 전류 법칙(KCL)은 휘트스톤 브리 지 회로에 성립한다. 이는 회로가 평형 상태에 도달했다고 할 수 있다. 그림 1과 같은 회로에서 만약 A점과 B점 사이에 전위차가 없으면( ) 전류의 흐름을 감지할 수 있는 검류계(Galvanometer) ⓖ에는 전류가 흐르지 않는다. (단, X 와 에 흐르는 전류는 각각 , 이다.. 휘트스톤 브리지 1. -노드 C에서의 키르히호프 전류 법칙( 전압원으로부터 흐르는 전류를 으로 설정한다) -노드 C-B-D를 연결한 메쉬에서의 키르히호프 전압 법칙 또한, 휘트스톤 브리지는 회로가 평형상태일 때 계측기인 검류계에 전류가 흐르지 않으므로, 검류계의 내부 저항으로 인한 오차 없이 미지의 저항 X를 구할 수 있다(일반적으로 모든 계측기는 내부 저항을 갖고 있어 정확한 저항값을 측정하기 어렵다) 3.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험.기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험. , 4) 3)의 식을 정리하면 이고, 저항들의 관계식을 나타내면 다음과 같다. 그 림 1의 회로에서 KVL과 KCL을 적용해보면 다음과 같다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 실험목적 휘트스톤 브리지를 통하여 평형상태를 이용한 정밀 측정 방법을 이해하고, 휘트스톤 브리지에 의한 저 항 측정 방법을 실험한다. 그림 1 에서 과 의 왼쪽 노드를 C, X와 의 오른쪽 노드를 D로 설정한다. 이러한 평형상태를 이용하여 , , 의 값으로부터 미지의 저항값 X를 계산할 수 있다. 그림 1 휘트스톤 브리지 -미지의 저항값 X의 계산 1) 의 값을 적절히 조절하여 A, B점의 전위차가 ‘0’이 되었다고 가정하면, 이다.zip 실험 6. (단, X 와 에 흐르는 전류는 각각 , 이다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 실험 방법 (1) 그림 2와…(생략) [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험.pdf. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 그림 1 에서 과 의 왼쪽 노드를 C, X와 의 오른쪽 노드를 D로 설정한다. -식 1 이러한 휘트스톤 브리지는 평형상태 또는 불 평형상태에서 모두 동작한다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF .기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . -노드 C에서의 키르히호프 전류 법칙( 전압원으로부터 흐르는 전류를 으로 설정한다) -노드 C-B-D를 연결한 메쉬에서의 키르히호프 전압 법칙 또한, 휘트스톤 브리지는 회로가 평형상태일 때 계측기인 검류계에 전류가 흐르지 않으므로, 검류계의 내부 저항으로 인한 오차 없이 미지의 저항 X를 구할 수 있다(일반적으로 모든 계측기는 내부 저항을 갖고 있어 정확한 저항값을 측정하기 어렵다) 3. 2) 이므로, , 이다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF .. 이러한 평형상태를 이용하여 , , 의 값으로부터 미지의 저항값 X를 계산할 수 있다. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF . 3) 2)의 식을 옴의 법칙( )을 이용하여 전류와 저항 관계에 대해 나타내면 다음과 같다. 이는 회로가 평형 상태에 도달했다고 할 수 있다.pdf 자료문서 (다운받기). 실험 장비 (1) 검류계 (2) 디지털 멀티미터 (3) 직류 전원 공급 장치(± ) (4) 저항(5kΩ , 10kΩ 3개, 30kΩ ) (5) 가변저항(10kΩ ) 4.pdf [기초전자전기실험1] A＋받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험. 기초전자전기실험1 자료등록 A 받은 휘트스톤브리지 예비보고서 기초전자전기실험 Down ZF.